圆片二维单晶是最大化设备应用性能的理想选择。在这里，我们展示了几种可能的合成晶圆尺度二维单晶的方式： 考虑到二维材料与各种基板之间弱范德华力（VDW）的相互作用，我们的理论分析表明，单晶二维材料可以穿过基板的晶界（GB）而不会造成任何破坏，因此，在多晶衬底上可以合成晶片尺度的二维单晶。[1]这种策略是通过“给料局部给料”的方法来实现的[2]。 通过对二维材料生长外延的分析，我们得出利用低对称衬底可以实现大量二维孤岛的单向排列。近来，在一般方法和理论分析的指导下，我们在设计的基底上实现了圆片状石墨烯、氮化硼和二硫化钨的增长。
