拨开迷雾:理论模拟深度理解并指导二维单晶的大尺寸合成

活动信息

  • 开始时间:2021-12-21 14:00
  • 活动地点:腾讯会议:220511455
  • 主讲人:丁峰

活动简介

圆片二维单晶是最大化设备应用性能的理想选择。在这里,我们展示了几种可能的合成晶圆尺度二维单晶的方式: 考虑到二维材料与各种基板之间弱范德华力(VDW)的相互作用,我们的理论分析表明,单晶二维材料可以穿过基板的晶界(GB)而不会造成任何破坏,因此,在多晶衬底上可以合成晶片尺度的二维单晶。[1]这种策略是通过“给料局部给料”的方法来实现的[2]。 通过对二维材料生长外延的分析,我们得出利用低对称衬底可以实现大量二维孤岛的单向排列。近来,在一般方法和理论分析的指导下,我们在设计的基底上实现了圆片状石墨烯、氮化硼和二硫化钨的增长。

主讲人介绍

丁峰教授分别于1993年、1996年和2002年获得华中科技大学、复旦大学和南京大学理学学士、理学硕士和理学博士学位。现为蔚山国立科学技术研究院特聘教授,韩国基础科学研究所多维碳材料中心组长。丁教授的研究小组专注于材料科学应用的各种计算方法开发;对各种碳材料和二维材料进行理论探索,特别是它们的形成机制、成核、生长和蚀刻动力学。 截至目前,丁峰教授与国内外著名自然科学期刊合作发表SCI论文270余篇,超过16000次被(谷歌学术)引用,个人h指数为69。